最近一段時(shí)間，臺(tái)積電可謂是好消息不斷，赴美建廠、采購(gòu)35臺(tái)光刻機(jī)、2nm出現(xiàn)重大進(jìn)展等。今年以來(lái)，受益于5G與5nm制程的突破，臺(tái)積電的先進(jìn)產(chǎn)能更是長(zhǎng)時(shí)間處于滿(mǎn)載狀態(tài)。

    由此，臺(tái)積電的營(yíng)收也是屢創(chuàng)新高，令人矚目。根據(jù)臺(tái)積電最新公布的信息，臺(tái)積電在11月的短短30天里，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1248.64億新臺(tái)幣（折合人民幣289億元）；這與去年同期的1078.84億新臺(tái)幣營(yíng)收相比，實(shí)現(xiàn)了15.7%的同比增幅。

 

    由此，臺(tái)積電做到了連續(xù)18個(gè)月同比增長(zhǎng)，表現(xiàn)優(yōu)異。據(jù)了解，臺(tái)積電的訂單不少已經(jīng)排到了明年年中，臺(tái)積電同比增長(zhǎng)的勢(shì)頭，有望延續(xù)。

 

    除營(yíng)收屢創(chuàng)新高外，臺(tái)積電的工藝進(jìn)程也傳來(lái)好消息。

 

    日前，臺(tái)積電宣布，名為“3nmPlus”的3nm工藝的增強(qiáng)版，將在在2023年推出。而且，蘋(píng)果依舊是首發(fā)客戶(hù)，將收入首波產(chǎn)能。按照推算，蘋(píng)果A17訂單將被臺(tái)積電收入囊中。

 

    不過(guò)，3nmPlus制程工藝將有怎樣的提升，臺(tái)積電并未作出解釋?zhuān)梢钥隙▽⒈?nm擁有更低的能耗、更高的晶體管密度。

 

    而關(guān)于3nm，臺(tái)積電此前便已經(jīng)表示，相較于5nm，3nm邏輯密度最高將提升70%、性能最高提升15%，同時(shí)能耗也能降低30%。該工藝將在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

 

    臺(tái)積電3nmPlus制程在這一基礎(chǔ)上有怎樣的提升，值得期待。

 

    雖然臺(tái)積電目前是全球最強(qiáng)的晶圓代工廠，且優(yōu)勢(shì)地位十分明顯，在業(yè)界的市場(chǎng)占比超過(guò)50%。不過(guò)，臺(tái)積電并非高枕無(wú)憂(yōu)，在它身后，還有三星窮追不舍。

 

    三星已經(jīng)宣布，要在2022年量產(chǎn)3nm，與臺(tái)積電進(jìn)程基本相似。而且，三星3nm將提前導(dǎo)入Gate-All-Around技術(shù)，想要彎道超車(chē)的野心顯而易見(jiàn)。

 

    臺(tái)積電在2nm才將會(huì)采用GAA工藝，在3nm與3nmPlus工藝上，仍采用傳統(tǒng)的FInFET技術(shù)。

 

    三星激進(jìn)的發(fā)展策略，給了臺(tái)積電不小的壓力。在14nm技術(shù)時(shí)，三星便曾經(jīng)超越臺(tái)積電提前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。因而，如今臺(tái)積電自然不敢掉以輕心，小看三星。

 

    好在臺(tái)積電技術(shù)雄厚，在7nm、5nm上總能先三星一步。而且，臺(tái)積電2nm也獲得重大內(nèi)部突破，計(jì)劃在2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)市場(chǎng)，并在2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

 

    可以看出，目前臺(tái)積電技術(shù)仍走在三星的前列，也希望其能繼續(xù)保持優(yōu)勢(shì)，穩(wěn)扎穩(wěn)打走好每一步。