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        5nm工藝背鍋?驍龍888實(shí)際表現(xiàn)“翻車”了?

        來源:常山信息港 發(fā)表時(shí)間:2021-01-06 18:42
        隨著小米11的正式發(fā)布,各大媒體的評(píng)測解禁,高通最新一代旗艦芯片驍龍888的實(shí)際性能表現(xiàn)也被公布了出來。
        驍龍888采用的是三星的5nm LPE制程工藝,在這款芯片發(fā)布之前,蘋果推出的A14和華為發(fā)布的麒麟9000芯片也都采用了5nm制程工藝,只不過是由臺(tái)積電代工。
         
        不過,驍龍888的實(shí)際表現(xiàn)并不理想。愛否科技的評(píng)測顯示,在3DMark壓力測試中,小米11會(huì)一直提醒溫度過高,導(dǎo)致測試無法進(jìn)行,在經(jīng)過連續(xù)幾次的測試后,偶爾有一次成功了,但是機(jī)身表面溫度達(dá)到了51°,穩(wěn)定性只有91%,即便把手機(jī)放冰箱,穩(wěn)定性也只有95%。
         
        除愛否科技外,微博數(shù)碼大V在測試小米11性能時(shí),也出現(xiàn)了一些問題。@肥威表示,自己拿到的機(jī)子在功耗方面有點(diǎn)踩雷,可能是早期系統(tǒng)固件的問題。
         
        看到小米11的評(píng)測后,有網(wǎng)友表示,驍龍888翻車了,其原因是5nm制程工藝技術(shù)不成熟。真的是5nm制程工藝的問題嗎?
         
        驍龍888實(shí)際表現(xiàn)“翻車”了?
         
        結(jié)合目前已掌握的消息,驍龍888的CPU擁有8個(gè)核心,由1個(gè)超大核Cortex-X1+3個(gè)大核Cortex-A78+4個(gè)小核Cortex-A55組成,GPU為Adreno660。
         
        按照官方的說法,驍龍888的GOU性能提升了35%,能效提升20%,但是從已有的數(shù)據(jù)來看,驍龍865的GPU為Adreno650(587MHz),驍龍865+的GPU與前者相同,只是頻率上升至670MHz,驍龍888則是Adreno660(840MHz)。
         
        也就是說驍龍888相較于驍龍865+的GPU頻率提升了20%,而相比865的頻率提升了30%。這樣一對(duì)比你會(huì)發(fā)現(xiàn),高通的GPU依舊沒有變過,底層的基礎(chǔ)框架結(jié)構(gòu)并沒有較大改動(dòng),像蘋果、公版ARM幾乎每隔一兩年都會(huì)對(duì)底層進(jìn)行大更新。
         
        接著我們?cè)賮砜碈PU部分,根據(jù)公開的數(shù)據(jù),相比Cortex-A78,Cortex-X1在面積和功耗高了兩倍的情況下,性能只能提升20%,這里就是所謂“翻車”的焦點(diǎn)。
         
        ARM官方公布的數(shù)據(jù)顯示,4個(gè)Cortex-A78+4個(gè)Cortex-A55比同頻的Cortex-A77+Cortex-A55,性能提升20%,能耗降低15%。如果按照這個(gè)邏輯推算的話,那么1個(gè)Cortex-X1+3個(gè)Cortex-A78+4個(gè)Cortex-A55,性能則提升30%,功耗增加15%。需要注意的是,它們的三級(jí)緩存(L3)的容量是不一樣的,前者為4M,后者則是8M。
         
        三級(jí)緩存的作用在于CPU處理任務(wù)時(shí),將任務(wù)數(shù)據(jù)暫時(shí)存儲(chǔ)在緩存里面,不需要從內(nèi)存里調(diào)取,這樣處理速度會(huì)更快。緩存容量越大,意味著CPU處理任務(wù)的速度就越快。
         
        單從紙面參數(shù)對(duì)比來看,Cortex-X1有點(diǎn)像Cortex-A57,當(dāng)年Cortex-A57就是針對(duì)服務(wù)器設(shè)計(jì)的芯片,而Cortex-X1亦是如此。
         
        現(xiàn)在我們不妨來做個(gè)簡單總結(jié),CPU方面,如果實(shí)測驍龍888的三級(jí)緩存是8M,那么可能是ARM的鍋,反之,三級(jí)緩存低于8M,高通也脫不了干系。GPU方面,不滿頻率跑,如500MHz,屬于正常發(fā)揮。至于制程工藝,三星給的低價(jià)或許早已給出了答案。
         
        都是5nm制程工藝的鍋?
         
        當(dāng)然,并不是說三星給的報(bào)價(jià)比臺(tái)積電便宜,翻車的概率就會(huì)更大。事實(shí)上,今年臺(tái)積電的5nm制程也并不占優(yōu)。
         
        臺(tái)積電這次5nm制程工藝的芯片表現(xiàn)也不理想,比如相比A13仿生,A14仿生的性能提升并不明顯,華為的麒麟9000芯片,功耗控制和官方還是有較大差異的。如果單從測試結(jié)果來看的話,今年的5nm制程工藝,不管是臺(tái)積電還是三星,實(shí)際表現(xiàn)都沒能達(dá)到官方所宣傳的效果。
         
        事實(shí)上,影響芯片性能的因素有很多,比如5nm制程工藝的個(gè)體差異比較大,結(jié)合目前的情況來看,只有個(gè)別小米11會(huì)在性能測試環(huán)節(jié)出現(xiàn)一些問題,像愛范兒拿到的那臺(tái)小米11性能表現(xiàn)就很正常。
         
        除芯片制程工藝的個(gè)體差異外,機(jī)身內(nèi)部的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也會(huì)影響芯片性能,如果手機(jī)散熱做得差,芯片性能再強(qiáng)也是無法駕馭的。散熱這一塊,小米11做得還是很不錯(cuò)的。從維頌科技的拆解視頻來看,對(duì)比上代,小米11散熱還是有所提升的,小米在聽筒下方放入了一大塊VC液冷均熱板,緊貼主板SOC那一面,這樣設(shè)計(jì)的好處在于減少機(jī)身厚度的同時(shí),進(jìn)一步提升了主板的散熱能力。
         
        從今年5nm制程工藝的芯片實(shí)際表現(xiàn)來看,不管制程工藝提升多少,可能對(duì)于芯片性能都不會(huì)帶來太大的提升。也就是說,未來制程工藝即便升級(jí)到3nm,甚至是1nm,芯片性能與上代相比提升也不會(huì)有多少。
         
        所以,單方面認(rèn)為5nm制程工藝存在問題這一說法并不準(zhǔn)確。官方所展示的是5nm制程工藝在理想狀態(tài)下的性能提升,實(shí)際測試有所差異也是可以理解的。而且網(wǎng)上也只是個(gè)別的小米11媒體機(jī)在性能測試環(huán)節(jié)出現(xiàn)了問題,并不代表所有小米11、驍龍888或5nm制程工藝都會(huì)有類似的情況發(fā)生。
         
        除此之外,目前媒體拿到的都是小米11工程機(jī),與市面上發(fā)售的版本還存在一定的差異。另外,現(xiàn)階段小米11預(yù)裝的系統(tǒng)版本可能還沒有對(duì)驍龍888做全方位的優(yōu)化。至于5nm制程工藝到底有沒有“翻車”,就要看零售版小米11的實(shí)際性能表現(xiàn)了。
         
        總的來說,小米11性能測試“翻車”,其實(shí)和5nm制程工藝技術(shù)不成熟沒有太大關(guān)系,如果是因?yàn)榧夹g(shù)問題,說實(shí)話臺(tái)積電和三星也做不到量產(chǎn),畢竟這關(guān)乎到芯片良品率的問題。
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