驍龍888一出來就打著安卓最強(qiáng)芯片的口號，在跑分和晶體管上，確實(shí)是要超過麒麟9000好多，但是實(shí)際上對比的時(shí)候，驍龍888依舊是功耗最大的一款芯片，升溫也是最快的。

這一點(diǎn)就能很好理解為什么小米11要設(shè)置一個(gè)4800毫安的大電池，并且把自己的無線充電技術(shù)，以及快充技術(shù)搞到世界第一，小米手機(jī)能當(dāng)冬天的暖寶寶，不是沒有道理的。

異常升溫和功耗過快的問題，追溯下來，最后還是歸結(jié)到芯片上，iPhone12這邊，在網(wǎng)絡(luò)切換的時(shí)候，夜壺出現(xiàn)功耗加快的問題，有的用戶手機(jī)時(shí)間稍微長一點(diǎn)就會(huì)發(fā)熱，這并不是iPhone手機(jī)應(yīng)有的表現(xiàn)。

盡管如此也要比驍龍888好上許多，為驍龍888代工的三星成了這次翻車事件新的主體，三星真的有實(shí)力代工5nm芯片嗎？網(wǎng)友質(zhì)疑。

三星的5nm芯片工藝制程究竟表現(xiàn)如何：自家都在用

關(guān)于三星5nm工藝制程的質(zhì)量問題，既然三星用的都是自家的芯片，驍龍888的制造技藝也不該受到懷疑，但是三星3nm與3nmplus的工藝制程卻不得不讓讓人覺得是謊言。

在臺(tái)積電宣布3nm工藝制程的時(shí)候，三星緊急表示會(huì)跟上臺(tái)積電的步子，我們也有3nm芯片，盡管如此，臺(tái)積電3nm訂單接滿的時(shí)候，三星依舊沒有得到一個(gè)訂單。

三星與臺(tái)積電的差距是多大沒有人清楚，但是落后了臺(tái)積電一年左右的5nm工藝，竟然馬上就跟上了臺(tái)積電3nm的工藝制程，要知道，制造工藝可是一步步腳踏實(shí)地完成的。

另一方面，不管臺(tái)積電和三星的工藝制程有多么先進(jìn)，他們經(jīng)手的5nm芯片全部翻車，依舊有不可推卸的責(zé)任，臺(tái)積電和三星擔(dān)心的是，這場芯片危機(jī)怎么度過，到了3nm的時(shí)候該這么辦。

芯片危機(jī)如何度過，需要多方面的努力

5nm芯片集體翻車，全都敗在了功耗和異常升溫上面，功耗上升、溫度提高，這種類似的事情，24nm芯片向20nm過渡的時(shí)候出現(xiàn)過，12nm，14nm向7nm過渡的時(shí)候也出現(xiàn)過。

這一次7nm向5nm過渡顯然還是失敗了，究竟該怎么辦，芯片危機(jī)本身的問題是芯片材料極限的問題，以及芯片內(nèi)部的排列和運(yùn)行問題，這三個(gè)問題都需要解決。

既然芯片材料出了問題，我們就改用碳基芯片；既然是芯片內(nèi)部晶體管的排列出了問題，那么芯片制造手藝也要改變，生產(chǎn)芯片專用的光刻機(jī)也要進(jìn)行升級改造，這樣才能全面解決這個(gè)問題。

對于臺(tái)積電和三星來說，他們可以用ASML最新的NA EUV 光刻機(jī)，依靠自己手的3nm工藝制程去生產(chǎn)5nm芯片，隔代生產(chǎn)，或許才是最好的選擇。

芯片危機(jī)的出現(xiàn)，意味著摩爾定律的失效

關(guān)于芯片內(nèi)部運(yùn)行的問題，就只有采用光子芯片來解決了，但是采用光子芯片意味著指導(dǎo)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)七八十年的摩爾定律將宣布失效，報(bào)道體進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段。

光子芯片之前有提過，就是將芯片內(nèi)的電流并成光，功耗和升溫的問題都會(huì)大大改變，并且運(yùn)行速度提升1000倍以上，華為最近古仔研究的而手機(jī)芯片，就是這個(gè)。