1、爆機—燒保險和IGBT。
具體表現(xiàn)是通電沒反應,整機不工作。我們拆開機子,會發(fā)現(xiàn)保險燒爆了,而且爆得很厲害,保險的玻璃壁上都給爆黑了。我們進一步檢查,會發(fā)現(xiàn)在那個大散熱器下面的IGBT也擊穿了,有時連帶把整流橋也燒了,不過整流橋比IGBT結實多了,一般情況下,只燒IGBT。
遇到這種情況,我們不要急于更換零件試機。還要查一查有沒有其它的壞件。我遇到這種情況,就把電路中所有大阻值大體型的電阻都測量一遍,還有驅動IGBT的那兩個三極管(8050,8550)也要測量,再看一看300V濾波電容和0。33uF諧振電容有沒有鼓包。假如這些都沒問題,就把除了IGBT之外的所有壞零件全部換新。此時通電試機,測+5V、+15V或+18V、IGBT的B極0V是不是正常。只有這幾個電壓正常了,才能安裝IGBT。這樣能排除大部分爆機故障。
2、整機無反應,但沒有爆機
試機,整機不工作,拆開電磁爐,發(fā)現(xiàn)保險絲完好。
這種情況一般是電磁爐的電源轉換芯片燒壞了,它一般產生18V電壓,再經(jīng)7805變成+5V電壓供CPU工作,沒了+5V,CPU不工作,整機當然不工作了。電磁爐中這類芯片一般都用viper12a、viper22a、thx203h等。測電源轉換芯片外圍,看是不是有連帶損壞的小器件,假如有,更換之。
3、能開機,但顯示故障代碼
這類故障要先搞清代碼的含義,然后再有目的的維修。網(wǎng)上的電磁爐故障代碼很多,我們可以充分利用。這類故障一般都是那些大阻值大身材的電阻變值了,可以一個個地測,有變值的就更換。同時要查互感器、300v/5uF電容、熱敏電阻和電磁爐中唯一的那個電位器。只要這幾個地方查到了,這類故障一般也可以排除。少數(shù)的也可能是由LM339損壞所致,可通過代換的方法驗證。
4、功能錯亂,有的按開機鍵沒反應。
這類故障最好修,一般是按鍵壞了,或是按鍵板臟污漏電,換按鍵或清洗按鍵板就可解決這類問題。
5、CPU壞
這類故障一般修不好,最好不要浪費時間,因為這類CPU很難搞到手。
6、不加熱或間斷加熱
這類故障不太好修,溫度檢測電阻,同步振蕩電路、IGBT驅動、IGBTC極高壓保護電路、電流檢測電路、PWM調制電路、CPU電路都有可能與這類故障有關。修這類故障是要考驗我們的耐心的。
二、電磁爐主要元器件性能判斷簡單方法:
1、IGBT:首先,把大散熱片從主基板上卸下,用萬用表的通、斷檔,兩兩相測,都為無窮大,則合格,反之有任一兩腳相測為0時,則IGBT擊穿損壞。
2、阻尼二極體:用萬用表的通、斷檔測量,正向測量時,兩腳數(shù)值為500左右,反向測量時,兩腳數(shù)值為無窮大,則合格,反之,若測量值為0時,則阻尼二極體擊穿損壞。
3、壓敏電阻:用萬用電表測其阻值應為無窮大,反之,熱敏電阻擊穿損壞。
4、比流器:用萬用電表測其次極電阻為45~60Ω之間,則CT合格,反之,若阻值為零或無窮大則CT損壞。
5、橋式整流器:用萬用表通、斷檔測量,以黑筆接橋整+極(有斜角),紅筆分別測得另外三腳約有500、500、1000這三個數(shù)據(jù),則合格,反之,有任何一組為無窮大或零,則表明橋整已損壞。
6、TA8316:靜態(tài)時:TA83164腳為0V,用數(shù)字萬用表通、斷檔測量,黑筆接4,紅筆分別測得4、1,4、2,4、3,4、5,4、6,4、7之間約為500~700之間,測試中,任何一組測量值為零,則表明TA8316已損壞,另外測得4、2,4、3之間電壓應為18V,若無,則TA8316有可能損壞。
三、IGBT損壞原因分析:
IGBT工作于高反壓、高頻、大電流、大功率的惡劣條件下,容易擊穿損壞。原因可能是自身質量不好,或經(jīng)長期使用而老化,也可能是電路其他部分的故障引起IGBT電流驟然增大而損壞。
在更換IGBT之前應做如下檢查:
1、檢查IGBTG極激勵電壓是否正常,因若IGBT的激勵不足將會使IGBT的功耗增加,溫度上升。
2、檢查共振電容是否開路或擊穿,共振電容開路時,會使IGBT峰值電壓異常上升,共振電容擊穿時會使IGBT集電極電流急劇增大,這兩種情況將使IGBT損壞。
3、檢查控制電路輸出的脈沖寬度是否正常。
4、檢查電源插頭是否接觸不良,若220V交流電源接觸不良,會造成電源時斷時續(xù),在斷開的瞬間加熱線圈中的電流很快消失,輔助電源濾波電容放電并不立即消失,因此功率控制電平比較器反而輸出高電平使開關脈沖增寬。當220V馬上接通時,將造成過大的輸出功率而燒壞IGBT。
5、IGBT功率(熱擊穿)擊穿,正常工作時,IGBT工作于丙類開關狀態(tài),飽和及截止功率均較小,當電磁爐有故障時,如IGBT的驅動脈沖寬度過大、G極因驅動級故障而保持在高電平上、電源電壓波動較大或干擾脈沖疊加在電源峰值電壓上等,功耗超出IGBT額定承受能力時,異常發(fā)熱,惡性循環(huán)的結果最終造成功率(熱擊穿)擊穿。
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