3月15日消息，在最近的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì)上，三星首次展示了采用3nm工藝制造的256Mb（32MB）容量SRAM存儲(chǔ)芯片。該芯片應(yīng)用了MBCFET技術(shù)，寫入電壓僅需0.23V，是三星實(shí)現(xiàn)新工藝量產(chǎn)的一次重大進(jìn)步。

　　據(jù)悉，三星的3nm工藝采用了GAAFET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，與上一代7LPP FinFET工藝相比，晶體管密度可以提高80%，性能最高可提升30%，或者降低50%的功耗。

　　三星與臺(tái)積電并列為全球兩大芯片代工廠，但是卻總是稍遜臺(tái)積電一籌。2015年蘋果iPhone 6S系列大賣，為了提高新品產(chǎn)能，同時(shí)使用了三星14nm和臺(tái)積電16nm工藝代工，然而臺(tái)積電出產(chǎn)的芯片性能穩(wěn)定，三星的芯片卻兩極分化嚴(yán)重，部分芯片性能、發(fā)熱均表現(xiàn)出色，另一些芯片則出現(xiàn)了發(fā)熱翻車的現(xiàn)象。

　　后來蘋果芯片的代工訂單基本都交給了臺(tái)積電，三星則與高通簽訂了多年合作協(xié)議。3nm是芯片工藝的全新節(jié)點(diǎn)，比5nm、4nm更為重要，三星早前已經(jīng)開始布局，搶在臺(tái)積電之前，展出了成品。

　　根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈曝光的消息，臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝，遺憾的是新工藝仍將采用FinFET立體晶體管技術(shù)，號(hào)稱與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70%，性能可提升11%，或者功耗降低27%。

　　從紙面參數(shù)來看，三星這一次似乎有望實(shí)現(xiàn)全面反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況，臺(tái)積電則基本確認(rèn)，客戶會(huì)包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似Intel也有意尋求臺(tái)積電的先進(jìn)工藝代工。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2nm芯片上應(yīng)用GAAFET技術(shù)，要等待三年左右才能面世。

　　這兩家廠商的3nm工藝都將在今年年底試產(chǎn)，明年正式量產(chǎn)。三星能否彎道超車，只有等待產(chǎn)品量產(chǎn)之后，經(jīng)過消費(fèi)者檢驗(yàn)，我們才能知道。